FET é o acrónimo em inglês de Field Effect Transistor ou Transístor de Efeito de Campo que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transístor tem muitas aplicações na área de amplificadores (a operar na área linear), em comutação (operando fora da área linear) ou no controlo de corrente sobre uma carga. Nesta edição vamos continuar a analisar as suas principais caraterísticas.

Caraterísticas de saída

Continuemos a analisar a caraterística U_GS = 0 V. Se esta condição se verificar e nenhuma tensão se aplicar externamente através de U_DS, a corrente de dreno I_D será nula, estando o canal totalmente aberto, comportando-se o JFET como uma resistência.

Com o aumento de U_DS, o I_D aumenta linearmente até I_DSS, denominada por corrente de dreno quando U_GS = 0 V, sendo máxima a corrente de saída do JFET. Esta zona de funcionamento situada ate à tensão U_P denomina-se por zona óhmica uma vez que apresenta uma resistência constante designada por resistência óhmica do JFET – R_DS e define-se por:

O aumento da corrente de dreno provoca uma queda de tensão ao longo do canal, aumentando o potencial do dreno, pelo que o canal se vai estreitando de modo mais acentuado na região do dreno. Esta diminuição da espessura do canal vai diminuindo a corrente de dreno I_D até atingir um valor constante, apesar dos aumentos de U_DS.

Manuel Teixeira
ATEC – Academia de Formação

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