FET é o acrónimo em inglês de Field Effect Transistor ou Transístor de Efeito de Campo que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção (JFET). Este tipo de transístor tem muitas aplicações na área dos amplificadores (a operar na área linear), em comutação (operando fora da área linear) ou em controlo de corrente sobre uma carga. Nesta edição vamos analisar as suas principais caraterísticas.

Princípio de funcionamento

A Figura 177 representa um JFET de canal N com a polarização de dreno desligada por U_DD. Num JFET de canal N a tensão no dreno é positiva e a tensão na fonte é negativa. O termo efeito de campo relaciona-se com as camadas de depleção à volta de cada região P. Estas camadas de depleção ou barreira de potencial existem devido aos eletrões livres que se difundem das regiões N para as regiões P.

A porta tipo P e a fonte tipo N formam o díodo porta – fonte. Num JFET, o díodo porta-fonte é polarizado inversamente através da fonte de tensão U_GG, como mostra a figura 178. Devido a esta polarização inversa, a corrente da porta I_G é muito pequena, o que equivale a dizer que o JFET possui uma resistência de entrada quase infinita.

Um JFET típico apresenta uma resistência de entrada na ordem das centenas de Megaohms. Isto constitui uma grande vantagem do JFET relativamente ao transístor BJT. Assim se explica o excelente comportamento do JFET nas aplicações que exigem uma elevada impedância de entrada.

Manuel Teixeira
ATEC – Academia de Formação

Para ler o artigo completo faça a subscrição da revista e obtenha gratuitamente o link de download da revista “o electricista” nº66. Pode também solicitar apenas este artigo através do email: a.pereira@cie-comunicacao.pt

Outros artigos relacionados

• Artigo “Transístor Bipolar” da edição 60 da revista “o electricista”;
• Artigo “Ficha prática n.º 57 práticas de eletricidade – transístor (caraterísticas)” da edição 67 da revista “o electricista”;